多接合型薄膜光電変換装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008254124
Publication number (International publication number)：2010087205
Application date： Sep. 30, 2008
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

【課題】シリコン系およびCIS系薄膜光電変換ユニットを直列接続することにより短絡電流値を高い値でバランスさせ、高い開放電圧を有する、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供する。【解決手段】多接合型薄膜光電変換装置は、シリコン系薄膜光電変換ユニット3、5及びCIS系薄膜光電変換ユニット7を備え、中間層4、6を介してこれらを直列接続している。シリコン系薄膜光電変換装置では光電変換が難しい1100nm以上の近赤外光の光電変換が可能であり、太陽光スペクトルを幅広く利用することが可能である点から、より高効率な多接合型薄膜光電変換装置を提供することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン系及びCIS系薄膜光電変換ユニットを備え、シリコン系光電変換ユニットとCIS系薄膜光電変換ユニットが中間層を介して直列接続されていることを特徴とする多接合型薄膜光電変換装置。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 W

F-Term (28)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051AA10 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA04 , 5F051CA15 , 5F051DA16 , 5F051DA18 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051GA03 , 5F151AA04 , 5F151AA05 , 5F151AA10 , 5F151CA02 , 5F151CA03 , 5F151CA04 , 5F151CA15 , 5F151DA16 , 5F151DA18 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

CIS系薄膜太陽電池及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-356909 Applicant：昭和シェル石油株式会社

Cited by examiner (12)

光起電力素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-314720 Applicant：キヤノン株式会社
光起電力装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-347265 Applicant：株式会社リコー
積層型太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122827 Applicant：シャープ株式会社

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