Pat
J-GLOBAL ID:201003025130492729

アモルファスカーボン及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  鈴木 光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009007639
Publication number (International publication number):2010165908
Application date: Jan. 16, 2009
Publication date: Jul. 29, 2010
Summary:
【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が5〜30%(atm)であり、ドーピング元素を含有している。P型ドーピングにはホウ素、N型ドーピングには窒素を10%(atm)以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。【選択図】図3
Claim (excerpt):
水素濃度が5〜30%(atm)であり、ドーピング元素を含有していることを特徴とする、 アモルファスカーボン。
IPC (4):
H01L 21/205 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04
FI (4):
H01L21/205 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04 V
F-Term (54):
4K030AA01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB05 ,  4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA59 ,  5F045DA60 ,  5F045DA66 ,  5F045DA68 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA02 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA09 ,  5F051CA17 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F151AA05 ,  5F151AA16 ,  5F151CA02 ,  5F151CA04 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA09 ,  5F151CA17 ,  5F151CA23 ,  5F151CA24 ,  5F151CA36 ,  5F151CA37

Return to Previous Page