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J-GLOBAL ID:201003025130492729
アモルファスカーボン及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 鈴木 光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009007639
Publication number (International publication number):2010165908
Application date: Jan. 16, 2009
Publication date: Jul. 29, 2010
Summary:
【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が5〜30%(atm)であり、ドーピング元素を含有している。P型ドーピングにはホウ素、N型ドーピングには窒素を10%(atm)以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。【選択図】図3
Claim (excerpt):
水素濃度が5〜30%(atm)であり、ドーピング元素を含有していることを特徴とする、
アモルファスカーボン。
IPC (4):
H01L 21/205
, C23C 16/27
, C23C 16/50
, H01L 31/04
FI (4):
H01L21/205
, C23C16/27
, C23C16/50
, H01L31/04 V
F-Term (54):
4K030AA01
, 4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030AA18
, 4K030BA28
, 4K030BB05
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030JA10
, 4K030LA16
, 5F045AA09
, 5F045AB07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC19
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AE19
, 5F045BB16
, 5F045CA13
, 5F045DA59
, 5F045DA60
, 5F045DA66
, 5F045DA68
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F051AA05
, 5F051AA16
, 5F051CA02
, 5F051CA04
, 5F051CA07
, 5F051CA08
, 5F051CA09
, 5F051CA17
, 5F051CA23
, 5F051CA24
, 5F051CA36
, 5F051CA37
, 5F151AA05
, 5F151AA16
, 5F151CA02
, 5F151CA04
, 5F151CA07
, 5F151CA08
, 5F151CA09
, 5F151CA17
, 5F151CA23
, 5F151CA24
, 5F151CA36
, 5F151CA37
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