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J-GLOBAL ID:201003025631902188
ナノダイヤモンドの製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (9):
小野 新次郎
, 社本 一夫
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 松山 美奈子
, 松田 豊治
, 相馬 貴昌
, 森下 梓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009104824
Publication number (International publication number):2010254506
Application date: Apr. 23, 2009
Publication date: Nov. 11, 2010
Summary:
【課題】工業的規模で安定的にナノダイヤモンドを製造できる方法を提供する。【解決手段】液体中で炭素電極間に放電させることにより、ナノダイヤモンドを生成させる。放電は、不連続放電(典型的にはパルスプラズマ放電)によるものである。放電電流量は2A以上、200A以下であり、パルス間隔は、特に制限されるものではないが、100ミリ秒以下であることが好ましく、50ミリ秒以下であることがより好ましい。使用できる液体(溶媒)としては、特に限定されるものではないが、水、飽和炭化水素、芳香族炭化水素およびアルコール類が好ましい。【選択図】なし
Claim (excerpt):
液体中で炭素電極間に2A以上の電流をパルス放電させる工程を含む、ナノダイヤモンドの製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (9):
4G146AA04
, 4G146AB01
, 4G146AC02B
, 4G146AC17B
, 4G146AD23
, 4G146AD26
, 4G146AD40
, 4G146BA01
, 4G146BC16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特公昭38-016103
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特公昭42-019682
-
特公昭42-019683
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精密表面処理のための研磨材およびその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-514941
Applicant:プラスモテッグエンジニアリングセンター, テゴサイエンティフィックアンドエンジニアリングセンターオブフィジックスアンドテクノロジーオブシンフィルムズ
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カーボンナノホーンの製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-413134
Applicant:財団法人新産業創造研究機構
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