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J-GLOBAL ID：201003026014663237

タンデム太陽電池及びその生産方法

Inventor： 山本▲あき▼勇 ,  橋本 明弘
Applicant, Patent owner： 国立大学法人福井大学
Agent (1)： 高島 敏郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009136219
Publication number (International publication number)：2010283208
Application date： Jun. 05, 2009
Publication date： Dec. 16, 2010
Summary：

【課題】 効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si3接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。【解決手段】 InGaP/(In)GaAs/Si3接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge4接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

InGaP/(In)GaAs/Si3接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池において、 (In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されていることを特徴とするタンデム太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/042

FI (1)：

H01L31/04 R

F-Term (12)：

5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA18 ,  5F051DA19 ,  5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB21 ,  5F151CB30 ,  5F151DA18 ,  5F151DA19