Pat
J-GLOBAL ID：201003026037659121
スピン注入構造及びそれを用いたスピン伝導デバイス
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (4)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009086920
Publication number (International publication number)：2010239011
Application date： Mar. 31, 2009
Publication date： Oct. 21, 2010
Summary：
【課題】従来のスピン注入構造において、MgOはSi上にエピタキシャル成長しないため、格子不整合によりそこを通過する偏極したスピンが乱されて、偏極スピンが減少するため、良好な特性を維持可能なスピン注入構造を提供する。【解決手段】Siからなるチャンネル層7と、チャンネル層7上に形成された強磁性体からなる磁化固定層12Bと、チャンネル層7と磁化固定層12Bとの間に介在する第1トンネル障壁8Bとを備えている。さらに、第1トンネル障壁8Bは、チャンネル層7側の領域に位置する非晶質MgO層と、磁化固定層12B側の領域に位置する単結晶MgO層とを有している。第2トンネル障壁8Cも同様に、チャンネル層7側の領域に位置する非晶質MgO層と、磁化固定層12C側の領域に位置する単結晶MgO層とを有している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
Siからなるチャンネル層と、
前記チャンネル層上に形成された強磁性体からなる磁化固定層と、
前記チャンネル層と前記磁化固定層との間に介在する第1トンネル障壁と、を備え、
前記第1トンネル障壁は、
前記チャンネル層側の領域に位置する第1非晶質MgO層と、
前記磁化固定層側の領域に位置する第1結晶質MgO層と、
を有することを特徴とするスピン注入構造。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (12)：
5F092AA05
, 5F092AA20
, 5F092AC21
, 5F092AC25
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD19
, 5F092BD20
, 5F092BE02
, 5F092BE06
, 5F092BE13
, 5F092BE27
