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J-GLOBAL ID：201003027092687831

両極特性電界効果型トランジスタ及び半導体集積回路装置

Inventor： 原田 直樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008308349
Publication number (International publication number)：2010135471
Application date： Dec. 03, 2008
Publication date： Jun. 17, 2010
Summary：

【課題】 両極特性電界効果型トランジスタ及び半導体集積回路装置に関し、作製時ではなく使用時に極性を制御することにより、FETに種々の機能を持たせる。【解決手段】 基板上に設けたチャネル領域上に前記チャネル領域のキャリア濃度を制御するゲート電極を設けるとともに、前記ゲート電極から見たトランジスタの極性を変更する電圧印加手段を設ける。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に設けたチャネル領域と、 前記チャネル領域上に設けられて前記チャネル領域のキャリア濃度を制御するゲート電極と、 前記ゲート電極から見たトランジスタの極性を変更する電圧印加手段と を有する両極特性電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E

F-Term (25)：

5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機半導体膜および有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-082912   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• グラファイト薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-064946   Applicant：新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正, 松井丈雄
• グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-058732   Applicant：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正