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J-GLOBAL ID：201003027822268007

伝送線路

Inventor： 白井 健雄 ,  早崎 嘉城 ,  橋本 健 ,  横山 浩司 ,  西村 太 ,  諏訪 敦 ,  足立 雅和 ,  岩本 成正 ,  吉原 孝明 ,  馬場 徹
Applicant, Patent owner： パナソニック電工株式会社
Agent (3)： 中村 信雄 ,  西澤 一生 ,  益頭 正一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009071797
Publication number (International publication number)：2010226450
Application date： Mar. 24, 2009
Publication date： Oct. 07, 2010
Summary：

【課題】誘電損失が小さく伝達特性が優れた伝送線路を提供する。【解決手段】MEMS構造体に用いられる伝送線路は、対向する表面F1及び裏面F2を有し、且つ表面F1に第1の凹みCa1が形成された誘電体基板21と、第1の凹みCa1の底面BT上に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線10と、表面F1上に配置され、且つ信号配線10から電気的に絶縁された表面グランド電極11と、誘電体基板21の裏面F2上に配置された裏面グランド電極14とを有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

MEMS構造体に用いられる伝送線路であって、 対向する第1の主表面及び第2の主表面を有し、且つ前記第1の主表面に第1の凹みが形成された誘電体基板と、 前記第1の凹みの底面上に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線と、 前記第1の主表面上に配置され、且つ前記信号配線から電気的に絶縁された表面グランド電極と、 前記第2の主表面上に配置された裏面グランド電極と を有することを特徴とする伝送線路。

IPC (5)：

H01P 3/08 ,  H01P 1/12 ,  H01H 51/22 ,  H01H 50/10 ,  H01H 50/56

FI (5)：

H01P3/08 ,  H01P1/12 ,  H01H51/22 R ,  H01H50/10 H ,  H01H50/56 R

F-Term (3)：

5J012AA07 ,  5J014CA05 ,  5J014CA42