金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：柳田征史 , 佐久間剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008180043
Publication number (International publication number)：2010021333
Application date： Jul. 10, 2008
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、TFT等の半導体活性層として良好な特性を有する金属酸化物膜を提供する。【解決手段】金属酸化物膜40は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記条件を充足する組成分布を有するアモルファス構造膜である。<基板側の膜面の組成>主成分金属元素がIn及びZnである。CZn(B)/CIn(B)=0.5〜2.0、CGa+Al(B)/CIn+Zn(B)=0.0〜0.125。<基板側と反対側の膜面の組成>主成分金属元素が、In及びZnと、Ga及びAlのうち少なくとも1種とである。CZn(T)/CIn(T)=0.5〜2.0、CGa+Al(T)/CIn+Zn(T)≧0.375。(CZn/CInはZn/Inモル比、CGa+Al/CIn+ZnはGa+Al/In+Znモル比を示す。(B)は基板側の膜面、(T)は基板側と反対側の膜面を示す。)【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に成膜され、In及びZnと、Ga及びAlのうち少なくとも1種とを含むアモルファス構造の金属酸化物膜において、膜中に水酸基が存在しており、かつ、基板側の膜面の組成及び基板側と反対側の膜面の組成が下記条件を充足する組成分布を有することを特徴とする金属酸化物膜。 <基板側の膜面の組成> 主成分金属元素がIn及びZnである。 CZn(B)/CIn(B)=0.5〜2.0、 CGa+Al(B)/CIn+Zn(B)=0.0〜0.125。 (上記式中、 CZn(B)/CIn(B)は基板側の膜面におけるZnとInとのモル比、 CGa+Al(B)/CIn+Zn(B)は基板側の膜面におけるGa及びAlの合計とIn及びZnの合計とのモル比をそれぞれ示す。) <基板側と反対側の膜面の組成> 主成分金属元素が、In及びZnと、Ga及びAlのうち少なくとも1種とである。 CZn(T)/CIn(T)=0.5〜2.0、 CGa+Al(T)/CIn+Zn(T)≧0.375。 (上記式中、 CZn(T)/CIn(T)は基板側と反対側の膜面におけるZnとInとのモル比、 CGa+Al(T)/CIn+Zn(T)は基板側と反対側の膜面におけるGa及びAlの合計とIn及びZnの合計とのモル比をそれぞれ示す。)

IPC (3)：

H01L 21/368 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L21/368 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618A

F-Term (43)：

5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF02 , 5F053GG03 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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