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J-GLOBAL ID：201003035841251673

太陽電池の製造方法

Inventor：
石丸 浩

About 石丸 浩


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (3)： 寺山 啓進 ,  伊藤 市太郎 ,  三好 広之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008192717
Publication number (International publication number)：2010034162
Application date： Jul. 25, 2008
Publication date： Feb. 12, 2010
Summary：
【課題】実質的に真性の非晶質系半導体層への不純物の混入、及び太陽電池の生産性の低下を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、HIT構造の形成工程において、n型単結晶シリコンウェハ21は、i型非晶質シリコン層28によって覆われた第1基板トレー50の第1載置面50A上に載置される。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
一導電型を有する結晶系半導体基板を基板トレーの一載置面上に載置する工程と、 前記結晶系半導体基板が載置された前記一載置面上に、CVD法によって、実質的に真性の非晶質系半導体層を形成する工程と、 前記結晶系半導体基板が載置された前記一載置面上に、CVD法によって、他導電型を有する非晶質系半導体層を形成する工程と を備え、 前記結晶系半導体基板を前記一載置面上に載置する工程において、 前記一載置面は、実質的に真性の非晶質系半導体層によって覆われている ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (2)：
H01L31/04 V ,  H01L31/04 S
F-Term (7)：
5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051GA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 光起電力装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-327345   Applicant：三洋電機株式会社
  • 触媒CVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-146648   Applicant：株式会社アルバック
Cited by examiner (3)

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