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J-GLOBAL ID：201003036534669209

窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法

Inventor： 善積 祐介 ,  塩谷 陽平 ,  上野 昌紀 ,  京野 孝史
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009165982
Publication number (International publication number)：2010114418
Application date： Jul. 14, 2009
Publication date： May. 20, 2010
Summary：

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光ダイオード11aは、半導体領域13と、InGaN層15と、活性層17とを備える。半導体領域13は半極性を示す主面13aを有し、GaNまたはAlGaNからなる。半導体領域13の主面13aは、該主面13aにおける[0001]軸方向の基準軸Cxに直交する平面Scに対して角度αで傾斜する。半導体領域13の厚さD13はInGaN層17の厚さDInGaNより大きく、InGaN層15の厚さDInGaNは150nm以上を有する。InGaN層15は半導体領域13の主面13aの直上に設けられて、主面13aに接している。活性層17は、InGaN層15の主面15a上に設けられ、この主面15aに接触している。活性層17は、InGaN井戸層21を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体発光素子であって、 窒化ガリウム系半導体からなる半導体領域と、 前記半導体領域の前記主面の直上に設けられたInGaN層と、 InGaNからなる井戸層を含み、前記InGaN層の主面上に設けられた活性層と、 六方晶系の窒化ガリウムからなり、該窒化ガリウムの[0001]軸方向の基準軸に直交する平面に対して10度以上80度以下で傾斜した主面を有する支持基体と を備え、 前記InGaN層は前記活性層と前記半導体領域との間に設けられ、 前記半導体領域の前記主面は、該主面における[0001]軸方向に延びる基準軸に直交する平面に対して傾斜して半極性を示し、 前記半導体領域は一又は複数の窒化ガリウム系半導体層からなり、 各窒化ガリウム系半導体層は、GaN、AlGaN、InGaNまたはInAlGaNからなり、 前記半導体領域の前記主面の材料は、前記InGaN層と異なっており、 前記半導体領域の厚さは前記InGaN層の厚さより大きく、 前記InGaN層は100nm以上の厚さを有し、 前記半導体領域は前記支持基体の前記主面上に搭載されており、 前記InGaN層は、前記基準軸に直交する第1の方向における第1のInGaN格子定数と前記基準軸に直交する第2の方向における第2のInGaN格子定数とを有しており、 前記第1の方向は前記第2の方向に直交しており、 前記支持基体は、前記基準軸に直交する第1の方向における第1のGaN格子定数と前記基準軸に直交する第2の方向における第2のGaN格子定数とを有しており、 前記第1のInGaN格子定数は前記第1のGaN格子定数と等しく、 前記第2のInGaN格子定数は前記第2のGaN格子定数と異なる、ことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/32 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610

F-Term (21)：

5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP64 ,  5F173AP82 ,  5F173AR42