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J-GLOBAL ID：201003038577044108

基板の製造方法および基板

Inventor： 八郷 昭広 ,  松本 直樹 ,  佐藤 史隆 ,  前田 洋子
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009042799
Publication number (International publication number)：2010199316
Application date： Feb. 25, 2009
Publication date： Sep. 09, 2010
Summary：

【課題】結晶性の良好な窒化物系化合物半導体を備える基板を形成する。【解決手段】窒化物系化合物半導体バルク基板1の一方の主表面から一定の深さの領域における結晶の成長状態の分布を検出し、その検出結果に基づいて、窒化物系化合物半導体バルク基板1があらかじめ決められた基準を満たすか否かを判別する。上記基準を満たすと判別された窒化物系化合物半導体バルク基板1の一方の主表面に対してイオン注入を行ない、下地基板10の一方の主表面と接合した上で、イオン注入により形成される脆弱領域において分割することにより、窒化物系化合物半導体薄膜1dを備える基板100を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体基板である第1の基板の一方の主表面から一定の深さの領域における結晶の成長状態の分布を検出する工程と、 前記結晶の成長状態の分布を検出する工程における検出結果に基づいて、前記第1の基板があらかじめ決められた基準を満たすか否かを判別する工程と、 前記判別する工程において前記基準を満たすと判別された前記第1の基板の一方の主表面からイオン注入を行なう工程と、 イオン注入された前記第1の基板の一方の主表面を、第2の基板の一方の主表面と接合する工程と、 前記第2の基板と接合された前記第1の基板を前記イオン注入を行なう工程において形成される脆弱領域において分割する工程とを備える、基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (4)：

H01L21/20 ,  H01L33/00 140 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/66 N

F-Term (20)：

4M106AA01 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA71 ,  5F152LM09 ,  5F152LP02 ,  5F152LP07 ,  5F152MM10 ,  5F152NN03 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17