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J-GLOBAL ID：201003038589723400

III族窒化物半導体の製造方法

Inventor：
木下 亨

About 木下 亨


Applicant, Patent owner：
株式会社トクヤマ

About 株式会社トクヤマ


Agent (2)： 前田 均 ,  鈴木 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009109830
Publication number (International publication number)：2010258375
Application date： Apr. 28, 2009
Publication date： Nov. 11, 2010
Summary：
【課題】結晶成長時に結晶中に取り込まれる不純物量を低減して、Al含有率が高いIII族窒化物半導体を品質よく製造する方法を提供する。【解決手段】基板11上に、組成式AlAGaBInCNで表され、A+B+C=1.0,B≧0,C≧0,0.5≦A≦1.0である関係を満足するAlGaInN層13が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、反応炉1内に設置したダミー基板上に、組成式AlXGaYInZNで表され、X+Y+Z=1.0,Y≧0,Z≧0,0.5≦X≦1.0であり、かつY≦B、Z≦Cである関係を満足するダミー層を1100°C以上の温度で形成する準備処理工程と、反応炉内からダミー基板を取り出し、ダミー基板とは異なる基板11を反応炉1内に設置し、該基板11上に、組成式AlAGaBInCNで表される前記AlGaInN層を形成する第一製造工程と、を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、組成式AlAGaBInCNで表され、前記組成式中のA、BおよびCが、A+B+C=1.0,B≧0,C≧0,0.5≦A≦1.0である関係を満足するAlGaInN層が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、 反応炉内にダミー基板を設置し、該ダミー基板上に、組成式AlXGaYInZNで表され、前記組成式中のX、YおよびZが、X+Y+Z=1.0,Y≧0,Z≧0,0.5≦X≦1.0であり、かつY≦B、Z≦Cである関係を満足するダミー層を1100°C以上の温度で形成する準備処理工程と、 反応炉内から前記ダミー層が形成された前記ダミー基板を取り出し、前記ダミー基板とは異なる基板を該反応炉内に設置し、該基板上に、組成式AlAGaBInCNで表される前記AlGaInN層を形成する第一製造工程と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。
IPC (1)：
H01L 21/205
FI (1)：
H01L21/205
F-Term (15)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045EB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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