Pat

J-GLOBAL ID：201003038727118440

シリコン系ナノ粒子の製造方法

Inventor： 片岡 朋治 ,  村井 盾哉 ,  木太 拓志 ,  山岸 忠明 ,  佐藤 亮子 ,  生越 友樹 ,  中本 義章
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人金沢大学
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009123415
Publication number (International publication number)：2010269972
Application date： May. 21, 2009
Publication date： Dec. 02, 2010
Summary：

【課題】同一工程を多数回繰り返す必要のない簡単な方法によって均一で粒径の大きいシリコンナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】カリックスアレーンを含む溶媒中でSi塩を出発原料としてシリコンナノ粒子を合成させる工程、次いで、当該溶媒中で前記シリコンナノ粒子の表面を水素化させてSiの水素化物を形成させる工程、さらに当該溶媒中で前記Siの水素化物と表面修飾化合物とを反応させる工程を含むSiナノ粒子の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

カリックスアレーンを含む溶媒中でSi塩を出発原料としてシリコンナノ粒子を合成させる工程、 次いで、当該溶媒中で前記シリコンナノ粒子の表面を水素化させてSiの水素化物を形成させる工程、 さらに当該溶媒中で前記Siの水素化物と表面修飾化合物とを反応させる工程を含むSiナノ粒子の製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/021 ,  B82B 3/00

FI (2)：

C01B33/021 ,  B82B3/00

F-Term (16)：

4G072AA01 ,  4G072AA05 ,  4G072BB05 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH08 ,  4G072JJ25 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM21 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR04 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02