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J-GLOBAL ID：201003039461884695

エピタキシャルウエハを形成する方法、及び半導体素子を作製する方法

Inventor： 橋本 信 ,  秋田 勝史 ,  元木 健作 ,  中幡 英章 ,  藤原 伸介
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009037121
Publication number (International publication number)：2010192770
Application date： Feb. 19, 2009
Publication date： Sep. 02, 2010
Summary：

【課題】酸化ガリウム領域上に、良好な結晶品質の窒化ガリウム系半導体の堆積を可能にする、エピタキシャルウエハを形成する方法を提供する。【解決手段】工程S107では、AlNバッファ層13を成長する。工程S108では、時刻t5において、窒素に加えて、水素、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを含む原料ガスG1を成長炉10に供給して、主面11a上にAlNバッファ層13を成長する。AlNバッファ層13はいわゆる低温バッファ層と呼ばれる。バッファ層13の成膜が開始されて後に、工程S109で、時刻t6において水素(H2)の供給を開始する。時刻t6では、H2、N2、TMA及びNH3が成長炉10に供給される。時刻t6〜t7の間に水素の供給量を増加して、時刻t7において水素の増加を停止して一定量の水素を供給する。時刻t7では、H2、TMA及びNH3が成長炉10に供給される。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

エピタキシャルウエハを形成する方法であって、 酸化ガリウム基板を成長炉に配置する工程と、 前記成長炉に窒素を供給して前記酸化ガリウム基板を窒素雰囲気にさらしながら、前記酸化ガリウム基板の基板温度を変更する工程と、 前記基板温度が第1の成膜温度に到達した後に、前記成長炉に窒素を供給しながら、AlXGa1-XN(0<X≦1)からなるバッファ層を前記第1の成膜温度で形成する工程と、 前記成長炉において、前記バッファ層上に窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層を第2の成膜温度で成長する工程と を備え、 前記第1の成膜温度は摂氏550度以上であり、 前記バッファ層の成長の途中で、前記成長炉への水素の供給を開始する、ことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C23C 16/34

FI (3)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  C23C16/34

F-Term (28)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030DA02 ,  4K030HA13 ,  4K030JA10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF10 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63