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J-GLOBAL ID:201003042400464082

新規ジホスフィン化合物、その製造方法及びそれを含む金属錯体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中務 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009017385
Publication number (International publication number):2010173958
Application date: Jan. 28, 2009
Publication date: Aug. 12, 2010
Summary:
【課題】不斉合成用触媒である遷移金属錯体の配位子として用いた際に、反応収率及びエナンチオ選択性が良好であって、しかも容易に合成できる新規ジホスフィン化合物を提供する。【解決手段】下記式で、代表的なジホスフィン化合物およびそれを配位子とした金属錯体を示す。【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記式(1)で表されるジホスフィン化合物。
IPC (3):
C07F 9/50 ,  C07F 9/52 ,  C07F 15/00
FI (4):
C07F9/50 ,  C07F9/52 ,  C07F15/00 B ,  C07F15/00 F
F-Term (8):
4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050WA15 ,  4H050WA26 ,  4H050WB16 ,  4H050WB22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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