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J-GLOBAL ID：201003044853566121

有機半導体装置およびその製造方法

Inventor： 野田 真
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008316550
Publication number (International publication number)：2010141161
Application date： Dec. 12, 2008
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：

【課題】Ion/Ioffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。【解決手段】表面が絶縁性を有する基板11の表面上に形成されたゲート電極12と、前記基板11上に形成されていて前記ゲート電極12を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜13と、前記ゲート絶縁膜13上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極14、15と、前記ソース・ドレイン電極14、15の表面に形成された炭素薄膜16、17と、前記ゲート絶縁膜13上に形成されていて前記炭素薄膜16、17が形成された前記ソース・ドレイン電極14、15を被覆する有機半導体層18を有する有機半導体装置1である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面が絶縁性を有する基板の表面上に形成されたゲート電極と、 前記基板上に形成されていて前記ゲート電極を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極と、 前記ソース・ドレイン電極の表面に形成された炭素薄膜と、 前記ゲート電極の両側上方の前記ゲート絶縁膜上に形成されていて前記炭素薄膜が形成された前記ソース・ドレイン電極を被覆する有機半導体層を有する 有機半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (10)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 370 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M

F-Term (62)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD61 ,  4M104DD63 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-134881   Applicant：大日本印刷株式会社
• プラズマCVD装置および成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-074246   Applicant：株式会社アルバック
• 電極被覆材料、電極構造体、及び、半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-315845   Applicant：ソニー株式会社
• 炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを用いる半導体素子配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-247337   Applicant：三星電子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Organic semiconductor-carbon nanotube bundle bilayer field effect transistors with enhanced mobiliti