Pat
J-GLOBAL ID：201003045441209380
光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
真田 有
, 山本 雅久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008183810
Publication number (International publication number)：2010027664
Application date： Jul. 15, 2008
Publication date： Feb. 04, 2010
Summary：
【課題】半導体レーザの発振波長と光変調器の共振波長との間の波長合わせを容易に行なえるようにする。【解決手段】半導体レーザ2の発振波長を規定する波長フィルタ4と、光共振構造を持つ光変調器3とを備える光半導体装置1において、波長フィルタ4と光変調器3の光共振構造とを同一基板8上に集積する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体レーザの発振波長を規定する第1の波長フィルタと、
光共振構造を持つ光変調器とを備え、
前記第1の波長フィルタと前記光変調器の光共振構造とが、同一基板上に集積されていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01S5/026 616
, H01S5/026 618
, H01S5/14
5F173AB43
, 5F173AB49
, 5F173AB82
, 5F173AD12
, 5F173AD15
, 5F173AH12
, 5F173AR02
Cited by examiner (1)
-
発光デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-101263
Applicant：住友電気工業株式会社
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
