半導体装置製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：棚井澄雄 , 森隆一郎 , 松尾直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009103061
Publication number (International publication number)：2010258030
Application date： Apr. 21, 2009
Publication date： Nov. 11, 2010
Summary：

【課題】気泡発生剤等の混入物を用いずに、高い導通性を確保しながら簡便に半導体チップを基板上にフリップチップ実装することができ、作動の信頼性及び品質が向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ3を基板2上にフリップチップ実装して半導体装置を製造する方法であって、チップ電極3aと基板電極2aとのうち少なくともいずれか一方の電極の表面に導電性の突起部10、11を形成する工程と、両電極が対向するように基板上に半導体チップをセットすると共に、基板と半導体チップとの間に導電性フィラーFが含有された樹脂4を供給する工程と、両電極の間に電圧を印加して突起部に電界を局所的に集中させ、導電性フィラーを突起部側に引き寄せると共に、電極対向方向に沿わせながら両電極間に局在化させる工程と、樹脂を硬化させて、半導体チップと基板とを一体的に固定する工程と、を備えている半導体装置製造方法。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

チップ電極を有する半導体チップを、基板電極を有する基板上にフリップチップ実装して半導体装置を製造する方法であって、前記チップ電極と前記基板電極とのうち少なくともいずれか一方の電極の表面に導電性の突起部を形成する形成工程と、前記チップ電極と前記基板電極とが対向するように前記基板上に前記半導体チップをセットすると共に、基板と半導体チップとの間に導電性フィラーが含有された樹脂を供給するセット工程と、前記チップ電極と前記基板電極との間に電圧を印加して前記突起部に電界を局所的に集中させ、前記導電性フィラーを突起部側に引き寄せると共に、電極対向方向に沿わせながら両電極間に局在化させる電圧印加工程と、前記樹脂を硬化させて、前記半導体チップと前記基板とを一体的に固定する固定工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/60

FI (1)：

H01L21/60 311S

F-Term (4)：

5F044KK01 , 5F044KK11 , 5F044LL11 , 5F044QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-359611 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-046385 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平3-185894

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