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J-GLOBAL ID：201003046667409647

半導体結晶微粒子薄膜

Inventor： 松山 博圭 ,  林 由紀子 ,  小林 健吉郎
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社 ,  国立大学法人静岡大学
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008218654
Publication number (International publication number)：2010056240
Application date： Aug. 27, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】励起子発光を実現し、整流特性に優れた半導体結晶微粒子薄膜、およびその成膜方法、および上記薄膜を含有する電界発光素子を提供する。【解決手段】基板温度を250°C以下とした基板上に、ヘキサ-μ-アセタト-μ4-オキソ-四亜鉛粉末を原料に使用した反応性CVD法により成膜してなる酸化亜鉛からなる半導体結晶微粒子薄膜であって、該結晶微粒子の数平均粒径が0.3〜20.0nmであり、かつ一定量のカルボン酸が亜鉛に配位している。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

非晶質の酸化亜鉛からなるマトリックス中に数平均粒径0.3〜20.0nmの酸化亜鉛の結晶微粒子が分散しており、且つ、前記酸化亜鉛の結晶微粒子中の亜鉛にカルボン酸が配位していることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (2)：

H01L 21/365 ,  H01L 33/28

FI (2)：

H01L21/365 ,  H01L33/00 D

F-Term (10)：

5F041AA21 ,  5F041CA41 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AB22 ,  5F045AD06 ,  5F045BB16 ,  5F045BB18 ,  5F045CA09 ,  5F045DA61

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 非線形光学素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-362194   Applicant：TDK株式会社
• 単結晶薄膜層を有する基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-051339   Applicant：財団法人浜松科学技術研究振興会
• 半導体装置及び微粒子半導体膜の製造方法及び光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-161779   Applicant：株式会社東芝
• エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-049632   Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (3)

• 単結晶薄膜層を有する基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-051339   Applicant：財団法人浜松科学技術研究振興会
• 半導体装置及び微粒子半導体膜の製造方法及び光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-161779   Applicant：株式会社東芝
• エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-049632   Applicant：富士写真フイルム株式会社