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J-GLOBAL ID：201003048284365983

異方性半導体膜およびその製造方法

Inventor：
ラザレフ、パベル

About ラザレフ、パベル


Applicant, Patent owner：
カーベン セミコン リミテッド

About カーベン セミコン リミテッド


Agent (4)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009535789
Publication number (International publication number)：2010508677
Application date： Nov. 06, 2007
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：
本発明は、大規模集積、光、通信およびコンピュータ技術の可能性を有する、マクロエレクトロニクスならびにマイクロエレクトロニクスの分野に関し、特に、これらの分野および他の関連する分野の材料に関する。本発明では、1つ以上の固体層を備える、基板上の異方性半導体膜を提供する。
Claim (excerpt)：
基板上の異方性半導体膜であって、ほぼ平坦なグラフェン状カーボン系構造を含み伝導率の異方性を有する材料からなる、1つ以上の固体層を備え、前記層の厚みは5nm〜1000nmの範囲にある異方性半導体膜。
IPC (1)：
H01L 21/368
FI (1)：
H01L21/368 L
F-Term (22)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AD05 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BB01 ,  4G146BB07 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB26 ,  4G146CB32 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053FF02 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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