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J-GLOBAL ID:201003048323522749
エネルギビームによる焼入方法および焼入システム
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢野 寿一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008210958
Publication number (International publication number):2010047789
Application date: Aug. 19, 2008
Publication date: Mar. 04, 2010
Summary:
【課題】焼入対象物において形状や表面性状等の個体バラツキが存在する場合や、焼入対象物が初めて焼入れを行うものである場合等であっても、レーザ光等のエネルギビームの照射による焼入温度を安定させることができ、安定した焼入深さや硬さを有する良好な硬化層を均一的に得ることができるエネルギビームによる焼入方法を提供する。【解決手段】ワークに対するレーザ光の走査照射として、焼入れと同じ態様、かつ、レーザ光の照射部位の温度が所定の変態温度に達しないような一定の予備照射を行いながら照射部位の温度を測定することで、ワーク位置と予備照射温度との相関関係(グラフG1)を求め、予備照射温度に基づき、前記相関関係を反映してワーク位置に対応して変化する予想温度(グラフG2)を算出し、照射部位の温度が目標焼入温度T0となるような焼入ビーム条件(グラフG3)をあらかじめ求め、焼入ビーム条件に基づいてレーザ条件を制御する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
焼入対象物に対してエネルギビームを走査照射することで、焼入対象物の表面近傍に硬化層を形成する焼入れを施すエネルギビームによる焼入方法であって、
焼入対象物に対する前記エネルギビームの走査照射として、前記焼入れに際しての前記エネルギビームの走査照射と同じ態様での走査照射であり、かつ、焼入対象物における前記エネルギビームの照射部位の温度が前記焼入れにともなう変態が生じる温度に達しないような一定のエネルギレベルでの走査照射である予備照射を行いながら、前記照射部位の温度を測定することで、前記照射部位の焼入対象物における位置と前記予備照射による前記照射部位の温度である予備照射温度との相関関係を求め、
前記予備照射温度に基づき、前記焼入れに際しての前記照射部位の温度を、前記相関関係を反映して前記焼入対象物における位置に対応して変化する温度である予想温度として算出し、
前記焼入対象物における位置に対応する前記予想温度の、焼入対象物を構成する材料に応じてあらかじめ設定される所定の目標焼入温度に対する温度差に基づいて、前記照射部位の温度が前記目標焼入温度となるような焼入対象物に対する前記エネルギビームの条件である焼入ビーム条件をあらかじめ求め、
前記焼入れに際しての前記エネルギビームの走査照射にともない、前記焼入ビーム条件に基づいて、焼入対象物に対する前記エネルギビームの条件を制御することを特徴とするエネルギビームによる焼入方法。
IPC (3):
C21D 1/09
, B23K 26/00
, B23K 26/42
FI (4):
C21D1/09 M
, B23K26/00 E
, B23K26/00 M
, B23K26/42
F-Term (7):
4E068AH00
, 4E068AJ01
, 4E068CA13
, 4E068CB02
, 4E068CB06
, 4E068CC03
, 4E068DB01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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レーザ焼入れ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-117672
Applicant:株式会社東芝
Cited by examiner (3)
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特開昭63-190115
-
高周波誘導加熱装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-167144
Applicant:応用電機株式会社
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特開平4-028488
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