太陽電池及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009030603
Publication number (International publication number)：2010186900
Application date： Feb. 13, 2009
Publication date： Aug. 26, 2010
Summary：

【解決手段】シリコン基板1と、前記シリコン基板1の受光面側に形成され、ドーパント高濃度拡散層3とこの高濃度拡散層3よりもドーパント濃度が低い低濃度拡散層4とを有するp型セレクティブエミッタ層2と、前記p型セレクティブエミッタ層2の高濃度拡散層3と電気的に接続する受光面電極6と、前記シリコン基板1の裏面側に形成されたn型拡散層5と、前記n型拡散層5と電気的に接続する裏面電極7と、を備える太陽電池であって、前記受光面電極直下となる高濃度拡散層3がシリコン窒化膜8と接し、前記低濃度拡散4層がシリコン酸化膜9と接することを特徴とする太陽電池。【効果】高濃度拡散層と低濃度拡散層とを有するp型セレクティブエミッタ層を有する太陽電池を簡便に製造することができ、容易に低オーミックコンタクトが形成でき、製造歩留まりを高レベルで維持しながら高性能の太陽電池及びその製造方法を提供することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板の受光面側に形成され、ドーパント高濃度拡散層とこの高濃度拡散層よりもドーパント濃度が低い低濃度拡散層とを有するp型セレクティブエミッタ層と、前記p型セレクティブエミッタ層の高濃度拡散層と電気的に接続する受光面電極と、前記シリコン基板の裏面側に形成されたn型拡散層と、前記n型拡散層と電気的に接続する裏面電極と、を備える太陽電池であって、前記受光面電極直下となる高濃度拡散層がシリコン窒化膜と接し、前記低濃度拡散層がシリコン酸化膜と接することを特徴とする太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 L

F-Term (26)：

5F051AA02 , 5F051AA16 , 5F051CB03 , 5F051CB12 , 5F051CB13 , 5F051CB14 , 5F051CB20 , 5F051CB24 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051GA14 , 5F051GA15 , 5F051HA03 , 5F151AA02 , 5F151AA16 , 5F151CB03 , 5F151CB12 , 5F151CB13 , 5F151CB14 , 5F151CB20 , 5F151CB24 , 5F151CB27 , 5F151DA03 , 5F151GA14 , 5F151GA15 , 5F151HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-064656 Applicant：株式会社日立製作所
固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-025874 Applicant：富士フイルム株式会社
特開平2-306620

Show all

Return to Previous Page