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J-GLOBAL ID：201003054507112543

強誘電体及び記憶装置

Inventor： 真庭 豊 ,  松田 和之 ,  三上 史記
Applicant, Patent owner： 公立大学法人首都大学東京
Agent (1)： 深澤 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008311807
Publication number (International publication number)：2010135661
Application date： Dec. 08, 2008
Publication date： Jun. 17, 2010
Summary：

【課題】数nm程度のセルサイズを実現可能な強誘電体及び記憶装置を提供すること。【解決手段】強誘電体2は、分子内で正に帯電された水素原子群(第一原子群)15と負に帯電された酸素原子群(第二原子群)16とが結合された水分子(極性分子)17同士が、さらに水素原子群15又は酸素原子群16が一端2a又は他端2bに配されるよう一方向に交互に配列された5本の一次元鎖13A〜13Eを有するアイスナノチューブ11Aと、アイスナノチューブ11Aを内包するカーボンナノチューブ(ナノチューブ)11Bと、を備えている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

分子内で正に帯電された第一原子群と負に帯電された第二原子群とが結合された極性分子同士が、さらに前記第一原子群又は前記第二原子群が一端又は他端に配されるよう一方向に交互に配列された少なくとも一つの一次元鎖と、 前記一次元鎖を内包するナノチューブと、 を備えていることを特徴とする強誘電体。

IPC (8)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  B82B 1/00 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/314 ,  C01B 31/02

FI (6)：

H01L27/10 444A ,  B82B1/00 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/314 A ,  C01B31/02 101F

F-Term (17)：

4G146AA11 ,  4G146AA13 ,  4G146AA15 ,  4G146AA17 ,  4G146AD21 ,  4G146AD28 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC01 ,  5F058BD03 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR06 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-116323   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター