半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司 , 長谷部政男 , 田名網孝昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008209055
Publication number (International publication number)：2010045249
Application date： Aug. 14, 2008
Publication date： Feb. 25, 2010
Summary：

【課題】光出力の温度依存性を低減することの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】下部DBR層18と下部クラッド層11との間、すなわち、キャビティ内に基板10が設けられている。これにより、半導体レーザ1の実効的な共振器長が基板10の厚さの分だけ長くなり、複数の軸モードで発振が生じるので、温度変化により発振波長がシフトした場合であっても、いずれかの軸モードにおいて、シフトした後の発振波長における波長オフセット量が、光出力が最大となるときの波長オフセット量と等しいか、それに近い値になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の一の面上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層および上部多層膜反射鏡を順に含む半導体層を形成すると共に、前記半導体基板の他の面上に、下部多層膜反射鏡を形成する半導体発光素子の製造方法。

IPC (1)：

H01S 5/183

FI (1)：

H01S5/183

F-Term (11)：

5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC61 , 5F173AH02 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AR13 , 5F173AR43 , 5F173AR71

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

面発光半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-153125 Applicant：古河電気工業株式会社

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