ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008228654
Publication number (International publication number)：2010062457
Application date： Sep. 05, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：

【課題】最高動作温度が高くドレイン電流密度が大きい、かつ、長時間の大電力動作にも耐える信頼性のある、実用的なダイヤモンドFETを提供すること。【解決手段】ダイヤモンド結晶1を用意し、マイクロ波CVD装置のリアクター内で水素プラズマ(Hで表す)を照射し、水素を含む表面層2を形成する(図1(a))。第1の表面層2上の一部の領域に、空間的に分離して、厚さ600nmの金薄膜31、32を蒸着する。これは、各ソース電極31、ドレイン電極32になる。ソース電極31とドレイン電極32との間に、空間的に分離して、Al薄膜4を蒸着する(図1(c))。このAl薄膜4はゲート電極4になる。試料にNO2を供給し、第1の表面層2上に第2の表面層5を形成する(図1(d))。露出した第2の表面層5全体を覆うように保護層6を第2の表面層5上に堆積させる(図1(e))。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド結晶基板と、前記ダイヤモンド結晶基板上に水素原子で終端された第1の表面層と、前記ダイヤモンド結晶基板の第1の表面層上に形成された、窒素と酸素、硫黄と酸素、及び酸素のみのいずれかから成る第2の表面層と、前記第2の表面層上に互いに離間して形成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電極部と、を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , C23C 16/27 , C23C 16/511 , H01L 21/205 , H01L 21/312 , H01L 21/314

FI (6)：

H01L29/80 Q , C23C16/27 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/312 A , H01L21/314 A

F-Term (26)：

4K030AA17 , 4K030FA01 , 4K030LA11 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045BB16 , 5F045CA06 , 5F045DA68 , 5F058AA10 , 5F058AC05 , 5F058AE01 , 5F058AE10 , 5F058AH03 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BJ03 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GT02 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-217679 Applicant：東京瓦斯株式会社
素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子および該半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-064035 Applicant：東京瓦斯株式会社
ガスセンサおよびガス検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-094780 Applicant：学校法人東海大学, ニッタン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

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