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J-GLOBAL ID：201003058015439240

超格子デバイス及びその製造方法、並びに、超格子デバイスを含む固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置

Inventor： 相澤 一雄 ,  浅野 勇 ,  富永 淳二 ,  コロボフ アレキサンダー ,  フォンス ポール ,  シンプソン ロバート
Applicant, Patent owner： エルピーダメモリ株式会社
Agent (2)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009113994
Publication number (International publication number)：2010263131
Application date： May. 08, 2009
Publication date： Nov. 18, 2010
Summary：

【課題】少ないエネルギーで結晶構造が高速に遷移する超格子デバイスを提供する。【解決手段】エネルギーの印加によって結晶構造が可逆的に遷移する結晶層1と結晶層1とは異なる組成を有する結晶層2とが積層された超格子積層体10と、超格子積層体10の下地であり、結晶層1の積層面を(111)配向させる配向層3とを備える。本発明によれば、配向層3を下地として用いることにより、結晶層1の積層面を(111)配向させることができる。積層面が(111)配向した結晶層1は、比較的少ないエネルギー印加によって結晶構造が可逆的に遷移するため、このような結晶層を持つ超格子デバイスの特性を高めることが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

結晶格子が立方晶でありエネルギーの印加によって構成原子の位置が可逆的に入れ替わる第1の結晶層と、前記第1の結晶層とは異なる組成を有する第2の結晶層とが積層された超格子積層体と、 前記超格子積層体の下地であり、前記第1の結晶層の積層面を(111)配向させる配向層と、 を備えることを特徴とする超格子デバイス。

IPC (2)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 A

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21