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J-GLOBAL ID：201003058277479839

レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物

Inventor： 太宰 尚宏 ,  塩野 大寿 ,  平野 智之 ,  松宮 祐 ,  高木 大地 ,  森 貴敬 ,  土屋 純一
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009006006
Publication number (International publication number)：2010164712
Application date： Jan. 14, 2009
Publication date： Jul. 29, 2010
Summary：

【課題】レジスト組成物の基材成分として新規な高分子化合物、そのモノマー、及び当該高分子化合物を含有するレジスト組成物とそれを用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と酸発生剤成分(B)を含有し、基材成分(A)が、側鎖に、環骨格中にスルホニル基を含む環式基を有するエステル基を有する(メタ)アクリル誘導体単位で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A0)を含有するレジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1-1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/38 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/38 ,  H01L21/30 502R

F-Term (42)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15T ,  4J100BC03R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09T ,  4J100BC53S ,  4J100BC84P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100GC07 ,  4J100GC17 ,  4J100GC25 ,  4J100GC35 ,  4J100JA38