Pat

J-GLOBAL ID：201003060108539649

電子サイクロトロン共鳴イオン源装置

Inventor： 内田 貴司 ,  吉田 善一 ,  ビリ サンドール ,  北川 敦志 ,  村松 正幸
Applicant, Patent owner： 学校法人 東洋大学 ,  独立行政法人放射線医学総合研究所
Agent (3)： 三好 秀和 ,  高橋 俊一 ,  鈴木 壯兵衞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009129921
Publication number (International publication number)：2010277871
Application date： May. 29, 2009
Publication date： Dec. 09, 2010
Summary：

【課題】ECRイオン源を用いて、原子内包フラーレンを容易に形成し、かつイオンビームとして引き出し、分析するECRイオン源装置を提供する。【解決手段】常温で気体の物質と、高融点の物質のガスのECRプラズマを生成可能なECRチェンバ部1aと、フラーレンガス供給用の蒸発源108を有するプロセスチェンバ部1bと、イオン引き出しメッシュ電極104と、イオンアパーチャ107とを備え、イオン引き出しメッシュ電極104とイオンアパーチャ107への印加電圧を制御することにより、ECRプラズマのプラズマポテンシャルを制御し、ECRプラズマからイオンのみをプロセスチェンバ部1bへ抽出し、当該イオンをフラーレンにイオン注入し、フラーレン誘導体を生成すると同時に、イオンアパーチャ107よりイオンビーム94として引き出し、分析するECRイオン源装置50。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

常温で気体の物質と、高融点の物質それぞれのガスを導入可能でかつ前記それぞれのガスのECRプラズマを生成可能なECRチェンバ部と、 前記ECRチェンバ部の下流側に配置され、フラーレンガスを供給可能な蒸発源を有するプロセスチェンバ部と、 前記ECRチェンバ部と前記プロセスチェンバ部との間に配置され、前記ECRチェンバ部内で生成された前記それぞれのガスのECRプラズマを抽出するメッシュ電極と、 前記プロセスチェンバ部の下流側に配置され、電圧印加可能なイオンアパーチャ とを備え、前記メッシュ電極と前記イオンアパーチャへの印加電圧を制御することにより、前記ECRプラズマのプラズマポテンシャルを制御し、前記ECRプラズマからイオンのみを前記プロセスチェンバ部へ抽出することを特徴とする電子サイクロトロン共鳴イオン源装置。

IPC (3)：

H01J 27/18 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317

FI (5)：

H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 B ,  H01J37/317 E ,  H01J37/317 Z

F-Term (14)：

4G146AA08 ,  4G146AA13 ,  4G146AA15 ,  4G146AA16 ,  4G146AA17 ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB32 ,  4G146DA03 ,  5C030DD02 ,  5C030DE01 ,  5C030DE04 ,  5C034CC01 ,  5C034CC07