Pat
J-GLOBAL ID:201003061584774121

硫化物系固体電解質の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山下 昭彦 ,  岸本 達人 ,  星野 哲郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009148705
Publication number (International publication number):2010040511
Application date: Jun. 23, 2009
Publication date: Feb. 18, 2010
Summary:
【課題】本発明は、メカニカルミリングの際にポットの内側表面に発生する固着物を掻き落とす必要が無く、製造効率に優れた硫化物系固体電解質の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明においては、少なくとも硫黄(S)を含有する原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、上記原料組成物に、メカニカルミリングの際にポットの内側表面に未反応の上記原料組成物を含む固着物が発生することを抑制する固着抑制材を添加する固着抑制材添加工程と、上記固着抑制材が添加された原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物系ガラスを合成するガラス化工程と、を有することを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
少なくとも硫黄(S)を含有する原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、 前記原料組成物に、メカニカルミリングの際にポットの内側表面に未反応の前記原料組成物を含む固着物が発生することを抑制する固着抑制材を添加する固着抑制材添加工程と、 前記固着抑制材が添加された原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物系ガラスを合成するガラス化工程と、 を有することを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法。
IPC (4):
H01B 13/00 ,  C01B 17/22 ,  C01B 25/14 ,  C03B 8/00
FI (4):
H01B13/00 Z ,  C01B17/22 ,  C01B25/14 ,  C03B8/00 C
F-Term (9):
4G014AG00 ,  5H024AA12 ,  5H024BB07 ,  5H024FF23 ,  5H024HH01 ,  5H029AJ14 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ08 ,  5H029HJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page