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J-GLOBAL ID:201003062513377845

ラベル粒子を検出するマイクロエレクトロニクスセンサデバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2009540926
Publication number (International publication number):2010512534
Application date: Dec. 10, 2007
Publication date: Apr. 22, 2010
Summary:
本発明は、ラベル粒子-たとえば磁性粒子(1)-を有する標的成分を検出するマイクロエレクトロニクスセンサデバイスに関する。当該センサデバイスは、結合表面(12)を備えたキャリア(11)を有する。前記結合表面(12)に標的成分が集められ、かつ任意で特定の捕獲元素に結合して良い。入射光ビーム(L1)は前記キャリアを透過して、前記結合表面(12)で内部全反射する。射出光ビーム(L2)の量、及び任意で前記結合表面(12)に存在する標的成分によって放出される蛍光量が光検出器(31)によって検出される。前記全反射中に発生するエバネッセント光は、前記結合表面(12)に存在する標的成分及び/又はラベル粒子(1)によって影響を受ける(吸収、散乱される)。従って前記射出光ビーム(L2)でのエバネッセント光は失われる。これは、前記射出光ビーム(L2,L2a,L2b)の光の量から前記結合表面(12)での標的成分の量を決定するのに用いることが可能である。磁場発生装置は任意で、前記結合表面(12)で磁場を発生させるのに用いられる。前記磁場により、磁気ラベル粒子(1)を操作する-たとえば引き付ける又は反発させる-ことが可能である。
Claim (excerpt):
標的成分の収集が可能な結合表面を備えたキャリア; 前記キャリアへ光ビームを照射する光源であって、前記入射光ビームは前記結合表面の検査領域内で内部全反射する、光源; 前記の内部全反射する光ビームのうちの少なくとも一部を含む射出光ビームの光の量を決定する光検出器; を有するマイクロエレクトロニクスセンサデバイス。
IPC (2):
G01N 21/27 ,  G01N 21/64
FI (2):
G01N21/27 C ,  G01N21/64 G
F-Term (34):
2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043DA06 ,  2G043EA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB12 ,  2G043GB13 ,  2G043HA09 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  2G043MA01 ,  2G059AA01 ,  2G059BB12 ,  2G059BB14 ,  2G059CC16 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE07 ,  2G059FF11 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059GG05 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ12 ,  2G059KK01 ,  2G059KK02 ,  2G059KK04 ,  2G059NN01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
  • 光学的定量方法及び光学的定量装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-310758   Applicant:シスメックス株式会社
  • 特許第3659686号
  • 特許第3668973号
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