ポーラスシリコンの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：武井秀彦 , 吉村康男 , 鈴木寛治 , 鈴木宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009101931
Publication number (International publication number)：2010251647
Application date： Apr. 20, 2009
Publication date： Nov. 04, 2010
Summary：

【課題】シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。【解決手段】ポーラスアルミナ膜2をシリコン基体1の表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体1の表面に前記ポーラスアルミナ膜2の細孔と同じ配列の窪み3を形成し、次いで前記シリコン基体1を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪み3を選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコン4を製造する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ポーラスアルミナ膜をシリコン基体表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体の表面に前記ポーラスアルミナ膜の細孔と同じ配列の窪みを形成し、次いで前記シリコン基体を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪みを選択的に溶解して、細孔を形成することを特徴とするポーラスシリコンの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/306 , H01L 21/308 , H01L 21/302 , H01M 4/139 , H01M 4/134

FI (7)：

H01L21/306 L , H01L21/306 B , H01L21/306 S , H01L21/308 B , H01L21/302 201B , H01M4/02 112 , H01M4/02 105

F-Term (27)：

5F004AA04 , 5F004BA11 , 5F004DA16 , 5F004DB01 , 5F004EA04 , 5F004EB08 , 5F043AA02 , 5F043AA09 , 5F043BB01 , 5F043DD02 , 5F043DD14 , 5F043DD15 , 5F043GG04 , 5H050AA02 , 5H050AA19 , 5H050BA17 , 5H050CB11 , 5H050DA03 , 5H050FA10 , 5H050FA15 , 5H050GA11 , 5H050GA12 , 5H050GA21 , 5H050GA25 , 5H050HA03 , 5H050HA05 , 5H050HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

マイクロチャンネルプレートを製造するためのシリコンエッチング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-548535 Applicant：ナノシステムズ,インコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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