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J-GLOBAL ID：201003064110024457

薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器

Inventor： 広中 克行
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009122756
Publication number (International publication number)：2010272663
Application date： May. 21, 2009
Publication date： Dec. 02, 2010
Summary：

【課題】酸化物半導体層の還元および酸素欠陥による劣化を防止でき、これにより長期に安定した特性を維持可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】非晶質酸化物からなる酸化物半導体層7と、この酸化物半導体層7に接して設けられたソース電極9sおよびドレイン電極9dとを備えている。そして特に、ソース電極9sおよびドレイン電極9dが、イリジウム(Ir)または酸化イリジウム(IrO2)を用いて構成されている。また、酸化物半導体層7は、酸化物材料からなる絶縁ゲート絶縁膜5および絶縁膜11で覆われている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

非晶質酸化物からなる半導体層と、前記半導体層に接して設けられたソース電極およびドレイン電極とを備え、 前記ソース電極およびドレイン電極が、イリジウムまたは酸化イリジウムを用いて構成されている 薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (7)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

F-Term (81)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JB66 ,  2H092JB67 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA18 ,  2H092NA11 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107EE03 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD41 ,  4M104DD64 ,  4M104DD66 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB06 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-172358   Applicant：三星エスディアイ株式会社
• 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-502848   Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-028763   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-284538   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-255733   Applicant：カシオ計算機株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-138848   Applicant：松下電器産業株式会社
• バリア構造を有するコンデンサ電極の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-531134   Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• 液晶表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-100156   Applicant：三菱電機株式会社