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J-GLOBAL ID：201003066832826429

Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス

Inventor： 加藤 彰彦 ,  八木 毅
Applicant, Patent owner： FDK株式会社
Agent (1)： 松井 伸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008211420
Publication number (International publication number)：2010050185
Application date： Aug. 20, 2008
Publication date： Mar. 04, 2010
Summary：

【課題】 電気伝導性に優れたp型のMg金属化合物(Mg2X)を提供すること【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式:Mg2X(Xは4族元素Si及びGe及びSnから選択される一種または複数の元素)であって、アクセプタードーパントとして、Liを含むようにした。Liは、Mg2Xに対して高い固溶限界を有し、高い電気伝導度を有するMg2Xとなる。また、Liは毒性が低いので、環境にも優しいMg2Xとなる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

逆ホタル石構造を有する一般式:Mg2X(Xは4族元素Si及びGe及びSnから選択される一種または複数の元素)であって、 アクセプタードーパントとして、Liを含むように構成されたことを特徴とするMg金属間化合物。

IPC (3)：

H01L 35/20 ,  C22C 23/00 ,  F25B 21/02

FI (3)：

H01L35/20 ,  C22C23/00 ,  F25B21/02 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Mg-Si系熱電材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-091091   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-297657   Applicant：FDK株式会社