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J-GLOBAL ID：201003066962420475

電界強化構造、及び該構造を利用した検出装置

Inventor： ファタル,デイビッド ,  リ,ツィーヨン ,  トン,ウィリアム ,  スチュワート,ダンカン ,  ブラックストック,ジェイソン
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010514805
Publication number (International publication number)：2010531995
Application date： Jun. 25, 2008
Publication date： Sep. 30, 2010
Summary：

本発明の種々の態様は、電界強化構造(100)、及び該電界強化構造を使用した検出装置(600, 700, 800)に関する。本発明の実施形態において、電界強化構造(100)は、表面(104)を有する基板(102)を含む。基板(102)は、平面モード周波数を有する平面モード(114)を有することができる。複数のナノ構造(106)が表面(104)に関連し、各ナノ構造(106)は、平面モード周波数にほぼ等しい局在表面プラズモン周波数を有する局在表面プラズモンモード(116)を示す。

Claim (excerpt)：

表面(104)を有する基板(102)であって、平面モード周波数を有する平面モード(114)を有することが可能な基板(102)と、 前記基板の表面に関連する複数のナノ構造(106)であって、各ナノ構造が、前記平面モード周波数にほぼ等しいLSP周波数を有する局在表面プラズモン(LSP)モード(116)を示す、複数のナノ構造(106)と を含み、前記ナノ構造のそれぞれのLSPモードと、前記平面モードとが、励起されたときに、互いに建設的に干渉するように構成される、電界強化構造(100)。

IPC (3)：

G01N 21/27 ,  G02B 5/18 ,  B82B 1/00

FI (3)：

G01N21/27 C ,  G02B5/18 ,  B82B1/00

F-Term (19)：

2G043AA01 ,  2G043DA06 ,  2G043EA03 ,  2G043EA13 ,  2G043KA01 ,  2G043KA09 ,  2G059AA01 ,  2G059EE01 ,  2G059EE03 ,  2G059EE12 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059GG06 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2H249AA07 ,  2H249AA13 ,  2H249AA55 ,  2H249AA65

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光導波路型表面プラズモン共鳴センサおよび光導波路型表面プラズモン共鳴装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-355226   Applicant：株式会社東芝
• 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-530462   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク