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J-GLOBAL ID：201003069334322633

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 吉 川 将 寿 ,  北 川 英 二 ,  大 坊 忠 臣 ,  永 瀬 俊 彦 ,  岸 達 也 ,  與 田 博 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (4)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009236542
Publication number (International publication number)：2010010720
Application date： Oct. 13, 2009
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いTMR比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、 前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、 を備え、 前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、 前記中間層に接するように形成され、アモルファス構造から結晶化した結晶相を有する界面磁性膜と、 前記中間層と反対側に前記界面磁性膜と接するように形成され、前記界面磁性膜の結晶化を促進する結晶化促進層と、 を有し、 前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (5)：

H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

F-Term (38)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119HH01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB17 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,256,223号明細書