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J-GLOBAL ID：201003071346406594

電界効果トランジスタ

Inventor： 関 志朗 ,  小野 新平 ,  三輪 一元 ,  宮代 一 ,  松村 哲夫
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008259644
Publication number (International publication number)：2010092971
Application date： Oct. 06, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：

【課題】電界効果トランジスタを低電圧で動作させると伴に、周波数応答性能およびキャリア移動度を高くすること。【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層として糊剤又は増粘剤を含まず液状であって、その主要成分がイオン液体であるものを用い、分子内に方向性を有するイオン液体(半導体層に正孔を注入する際は、陰イオン種、半導体層に電子を注入する際は、陽イオン種)を用いる。具体的には、半導体層に正孔を注入する際イオン液体(陰イオン種)としてTFSIやFSIを用いる。半導体層には有機ルブレン単結晶を用いるが、オキシクロライドなど無機酸化物材料を用いることもできる。ドレイン電極とソース電極には金電極を用いるが金電極以外の電極を用いることもできる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁層が、液状であって、その主要成分がイオン液体であることを特徴とし、該イオン液体が分子内方向性を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A

F-Term (9)：

5F110AA01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ”弾性樹脂を用いた有機半導体単結晶/イオン液体界面の作製と電気二重層トランジスタ”
• “有機半導体単結晶/イオン液体界面を用いた高移動度電気二重層トランジスタ”
• “電離度を高めたイオン液体を用いた有機単結晶FET”