酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本尚
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008225510
Publication number (International publication number)：2010062276
Application date： Sep. 03, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：

【課題】安定した特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】酸化物半導体層9上面に積層するゲート絶縁層5を、酸化物半導体層9を覆う非フッ素系有機樹脂層51と、非フッ素系有機樹脂層51を覆うアモルファスパーフルオロ樹脂層52とから構成した。ゲート絶縁層5の構成要素としてアモルファスパーフルオロ樹脂層52を用いることにより、安定した特性を有する酸化物薄膜トランジスタ1が得られることが確認された。また、非フッ素系有機樹脂層51の材質として、アモルファスパーフルオロ樹脂よりも誘電率の高いPVPを採用したことにより、駆動電圧の低い酸化物薄膜トランジスタ1が得られることが確認された。これにより、性能の良い酸化物薄膜トランジスタ1を、簡単、且つ安価に得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上面において、チャネル部を形成する酸化物半導体層と前記チャネル部を介して互いに離間して設けられているソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体層の上面に設けられた第2の絶縁層とを備え、前記第2の絶縁層は、非フッ素系有機高分子からなる非フッ素系有機高分子層と、アモルファスパーフルオロ樹脂からなるアモルファスパーフルオロ樹脂層とからなることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/283

FI (7)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L29/78 619A , H01L21/28 301B , H01L21/283 C

F-Term (76)：

4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD63 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-353107 Applicant：凸版印刷株式会社

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