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J-GLOBAL ID：201003072816373406

シラン処理された電解質膜及びその製造方法

Inventor： 御山 稔人 ,  中嶋 秀康
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Agent (4)： 佐伯 義文 ,  森 隆一郎 ,  五十嵐 光永 ,  大槻 真紀子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009044695
Publication number (International publication number)：2010195987
Application date： Feb. 26, 2009
Publication date： Sep. 09, 2010
Summary：

【課題】高プロトン伝導性及び高燃料バリア性を長期に渡って発現できる電解質膜の提供。【解決手段】下記一般式(1)で表されるケイ素-酸素架橋構造体(A)と、下記一般式(2)で表される、酸基を有しかつケイ素-酸素結合による架橋構造を有するか又は該架橋構造を形成し得る酸基含有架橋構造体(B)とが、ケイ素-酸素結合によって連結された電解質膜に、シラン化合物(Z)を接触させながら、該電解質膜を加熱する工程を有することを特徴とするシラン処理された電解質膜の製造方法;かかる製造方法で製造されたことを特徴とするシラン処理された電解質膜。[化1]【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるケイ素-酸素架橋構造体(A)と、下記一般式(2)で表される、酸基を有しかつケイ素-酸素結合による架橋構造を有するか又は該架橋構造を形成し得る酸基含有架橋構造体(B)とが、ケイ素-酸素結合によって連結された電解質膜に、シラン化合物(Z)を接触させながら、該電解質膜を加熱する工程を有することを特徴とするシラン処理された電解質膜の製造方法。

IPC (4)：

C08J 5/22 ,  H01M 8/02 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00

FI (5)：

C08J5/22 101 ,  C08J5/22 ,  H01M8/02 P ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z

F-Term (28)：

4F071AA15C ,  4F071AA35 ,  4F071AA67 ,  4F071AD03C ,  4F071AF36 ,  4F071AF42 ,  4F071AG02 ,  4F071AG12 ,  4F071AH15 ,  4F071BA02 ,  4F071BB13 ,  4F071BC02 ,  4F071FA05 ,  4F071FB01 ,  4F071FC01 ,  4F071FC04 ,  4F071FC05 ,  4F071FD01 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB01 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE17 ,  5H026EE18