Pat
J-GLOBAL ID:201003076093358360
レジストパターンの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 三上 敬史
, 沖田 英樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010052248
Publication number (International publication number):2010237665
Application date: Mar. 09, 2010
Publication date: Oct. 21, 2010
Summary:
【課題】従来の方法では、微細化と同時に、パターンの断面形状の点でも十分なレベルを達成することが困難であった。【解決手段】以下の(1)の工程:(1)レジスト膜を形成し、これを露光すること、を行うこと等によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程を、n回繰り返して、パターン化されたn個の上記レジスト膜ら構成されるレジストパターン3を得る、レジストパターンの製造方法であって、レジスト膜を形成するn回の上記工程のうち少なくとも1回における上記(1)の工程で露光される上記レジスト膜が、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であって重量平均分子量が7000〜10000でガラス転移点が150〜200°Cである樹脂(B)と、光酸発生剤(A)と、架橋剤(C)とを含有するレジスト組成物を成膜して形成される膜である、製造方法。【選択図】図2
Claim (excerpt):
以下の(1)、(2)及び(3)の工程:
(1)レジスト膜を形成し、これを露光すること、
(2)露光された前記レジスト膜を加熱すること、及び
(3)前記レジスト膜をアルカリ現像によりパターン化すること、
をこの順に行うことによりパターン化されたレジスト膜を形成する工程を、n回(nは2以上の整数)繰り返して、レジストパターンを得る、レジストパターンの製造方法であって、
パターン化されたレジスト膜を形成するn回の前記工程のうち少なくとも1回目〜n-1回目において、前記(3)の工程の後に以下の(4)の工程:
(4)パターン化された前記レジスト膜を加熱すること、
を更に行い、
パターン化されたレジスト膜を形成するn回の前記工程のうち少なくとも1回における前記(1)の工程で露光される前記レジスト膜が、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であって重量平均分子量が7000〜10000でガラス転移点が150〜200°Cである樹脂(B)と、光酸発生剤(A)と、架橋剤(C)とを含有するレジスト組成物を成膜して形成される膜である、製造方法。
IPC (5):
G03F 7/40
, H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 7/039
, G03F 7/004
FI (8):
G03F7/40 511
, G03F7/40 501
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 570
, G03F7/20 521
, G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/40 521
F-Term (41):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA01
, 2H096EA05
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 2H096HA05
, 2H125AE02P
, 2H125AE04P
, 2H125AF17P
, 2H125AF22P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN37P
, 2H125AN39P
, 2H125AN45P
, 2H125AN54P
, 2H125AN65P
, 2H125AN67P
, 2H125AN85P
, 2H125BA02P
, 2H125BA22P
, 2H125BA24P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125CD08P
, 2H125CD14P
, 2H125CD38
, 2H125FA18
, 5F046JA22
, 5F046LA18
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