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J-GLOBAL ID:201003077381503347

太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (11): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009030916
Publication number (International publication number):2010186915
Application date: Feb. 13, 2009
Publication date: Aug. 26, 2010
Summary:
【課題】III族窒化物半導体等のウルツ型化合物半導体を用いた高効率な太陽電池を得られるようにする。【解決手段】太陽電池は、主面の面方位が(0001)面であるウルツ型化合物からなり、p型層にn型化領域106を有する超格子層104と、該超格子層104における一の側面上に形成され、n型化領域106と接合されたチタンを含むn側電極107と、超格子層104における一の側面と対向する他の側面上に形成され、p型層と接合されると共にニッケルを含むp側電極108とを有している。n側電極107とp側電極108とを構成する金属の仕事関数は異なる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
主面の面方位が(0001)面であるウルツ型化合物からなり、第1導電性領域及び第2導電性領域を有する超格子層と、 前記超格子層における一の側面上に形成され、前記第1導電性領域と接合された第1の金属からなる第1の電極と、 前記超格子層における前記一の側面と対向する他の側面上に形成され、前記第2導電性領域と接合されると共に、前記第1の金属と仕事関数が異なる第2の金属からなる第2の電極とを備えていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1):
H01L 31/04
FI (1):
H01L31/04 E
F-Term (18):
5F051AA08 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051DA13 ,  5F051DA17 ,  5F051DA20 ,  5F051EA04 ,  5F051FA06 ,  5F151AA08 ,  5F151CB12 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151DA13 ,  5F151DA17 ,  5F151DA20 ,  5F151EA04 ,  5F151FA06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特公昭63-48197号公報

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