Pat

J-GLOBAL ID：201003077434693232

発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： 佐藤 薫由
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009094899
Publication number (International publication number)：2010245435
Application date： Apr. 09, 2009
Publication date： Oct. 28, 2010
Summary：

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、p型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】n型GaAs基板2上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層3、活性層5、p型クラッド層7およびp型GaAsキャップ層8を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、p型クラッド層7中のp型不純物が炭素とマグネシウムであり、p型GaAsキャップ層8中のp型不純物が炭素と亜鉛であるものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型GaAs基板上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層およびp型GaAsキャップ層を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、 前記p型クラッド層中のp型不純物が炭素とマグネシウムを含み、前記p型GaAsキャップ層中のp型不純物が炭素と亜鉛を含むことを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。

IPC (3)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/30 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01S5/323 ,  H01L33/00 184 ,  H01L21/205

F-Term (43)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045EE12 ,  5F173AA01 ,  5F173AF15 ,  5F173AF18 ,  5F173AF35 ,  5F173AF38 ,  5F173AF75 ,  5F173AF78 ,  5F173AH08 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ43 ,  5F173AP06 ,  5F173AP52 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR23 ,  5F173AR83 ,  5F173AR92