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J-GLOBAL ID：201003078446031452

III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶

Inventor： 宮永 倫正 ,  水原 奈保 ,  谷崎 圭祐 ,  佐藤 一成 ,  中幡 英章 ,  荒川 聡 ,  山本 喜之 ,  櫻田 隆
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009121080
Publication number (International publication number)：2010042980
Application date： May. 19, 2009
Publication date： Feb. 25, 2010
Summary：

【課題】大きな厚みを有し、かつ高品質のIII族窒化物結晶を成長するIII族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶13の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、(0001)面から<1-100>方向に傾斜した主表面11aを有する下地基板11が準備される。そして、気相成長法により下地基板11の主表面11a上にIII族窒化物結晶13が成長される。下地基板11の主表面11aは、{01-10}面から-5°以上5°以下傾斜した面であることが好ましい。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

(0001)面から<1-100>方向に傾斜した主表面を有する下地基板を準備する工程と、 気相成長法により前記下地基板の前記主表面上にIII族窒化物結晶を成長する工程とを備えた、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/06 ,  C30B 33/00

FI (3)：

C30B29/38 C ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

F-Term (19)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07