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J-GLOBAL ID：201003078722519383

不揮発性半導体記憶装置およびその作製方法

Inventor：
浅見 良信

About 浅見 良信

, 
佐藤 学

About 佐藤 学


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010030134
Publication number (International publication number)：2010219511
Application date： Feb. 15, 2010
Publication date： Sep. 30, 2010
Summary：
【課題】フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。【解決手段】不揮発性メモリ素子の島状半導体領域とフローティングゲート電極間、および、トランジスタの島状半導体領域とゲート電極間には、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の積層膜が形成されている。第1の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。トランジスタはフローティングゲート電極と同じ層に形成されている導電膜と、コントロールゲート電極と同じ層に形成されている導電膜とを有し、これら2つの導電膜は電気的に接続され、トランジスタのゲート電極として機能する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
メモリセルアレイ、および前記メモリセルアレイに電気的に接続されている駆動回路部を備え、 第1のチャネル形成領域、ならびに導電性を付与する第1の不純物元素を含む第1のソース領域および第1のドレイン領域が形成されている第1の島状半導体領域と、 フローティングゲート電極と、 コントロールゲート電極と、 前記第1の島状半導体領域と前記フローティングゲート電極間に存在し、かつ少なくとも前記第1のチャネル形成領域の中央部分と重なる部分に膜厚が薄い薄膜領域が形成されている第1のゲート絶縁膜と、 前記フローティングゲート電極と前記コントロールゲート電極間に存在する第2のゲート絶縁膜と、 を含む不揮発性メモリ素子を前記メモリセルアレイに有し、 第2のチャネル形成領域、ならびに導電性を付与する第2の不純物元素を含む第2のソース領域および第2のドレイン領域が形成されている第2の島状半導体領域と、 ゲート電極と、 前記第2の島状半導体領域と前記ゲート電極間に存在する第3のゲート絶縁膜と、 を含むトランジスタを前記駆動回路部に有する不揮発性半導体記憶装置であって、 基板と、 前記基板上に形成されている前記第1の島状半導体領域および前記第2の島状半導体領域と、 前記第1の島状半導体領域および前記第2の島状半導体領域上に形成され、前記第1のゲート絶縁膜および前記第3のゲート絶縁膜に含まれ、前記薄膜領域に含まれない第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1のゲート絶縁膜および前記第3のゲート絶縁膜に含まれる第2の絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜に前記薄膜領域を形成するために、前記第1の絶縁膜の前記第1の島状半導体領域と重なる部分に形成されている開口と、 前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を介して、前記第1の島状半導体領域上に形成され、前記開口と重なる前記フローティングゲート電極と、 前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を介して、前記第2の島状半導体領域上に形成され、前記ゲート電極に含まれる第1の導電膜と、 前記第1の導電膜および前記フローティングゲート電極上に形成され、前記第2のゲート絶縁膜に含まれる第3の絶縁膜と、 前記第3の絶縁膜を介して前記フローティングゲート電極上に形成されている前記コントロールゲート電極と、 前記第3の絶縁膜上に形成され、前記第1の導電膜に電気的に接続され、前記ゲート電極に含まれる第2の導電膜と、 を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (8)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (12)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 461 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 481
F-Term (141)：
5F083EP02 ,  5F083EP27 ,  5F083EP44 ,  5F083EP56 ,  5F083EP77 ,  5F083ER03 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR49 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA05 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD27 ,  5F101BD30 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21 ,  5F110AA04 ,  5F110AA13 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF22 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ17 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD10 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE35 ,  5F152CE45 ,  5F152FF01 ,  5F152FF07 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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