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J-GLOBAL ID：201003080794583722

表面プラズマ発生装置

Inventor： 瀬川 武彦 ,  吉田 博夫 ,  武川 信也 ,  クィンソー チョイ
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008225001
Publication number (International publication number)：2010061919
Application date： Sep. 02, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：

【課題】電極に印加する電圧の立ち上がり速度を適切に設定することにより、高速の表面プラズマを安定して発生させることができるようにする。【解決手段】絶縁材を挟んで表面側電極と裏面側電極を設け、両電極間に電圧を印加することにより表面プラズマを発生する表面プラズマ発生装置において、電極に印加する電圧の立ち上がり速度を3〜7μs/kV、更に好ましくは4〜5μs/kVとする。このときの印加電圧はパルス状とすることが印加電圧の立ち上がり速度を所定値に設定するために好ましく、この所定値で立ち上がる三角形波としても良く、そのときにはマイナス側に立ち下がる波形を小さなものに設定しても良い。更に、前記表面側電極がドーナツ状であると、表面プラズマジェットが表面から垂直に立ち上がるため、印加電圧の立ち上がり速度を適切に設定することが容易となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁材を挟んで表面側電極と裏面側電極を設け、両電極間に電圧を印加することにより表面プラズマを発生する表面プラズマ発生装置において、 前記電極に印加する電圧の立ち上がり速度を3μs/kV以上7μs/kV以下の範囲の所定値としたことを特徴とする表面プラズマ発生装置。

IPC (1)：

H05H 1/24

FI (1)：

H05H1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 風防ガラス装置、バックミラー装置及び作動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-381215   Applicant：大久保雅章
• プラズマ処理装置及びその電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-250898   Applicant：積水化学工業株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-339997   Applicant：松下電工株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-299505   Applicant：松下電工株式会社