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J-GLOBAL ID：201003082216208199

炭素系薄膜の製造方法

Inventor： 岩村 栄治
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 鎌田 耕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010004370
Publication number (International publication number)：2010083756
Application date： Jan. 12, 2010
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

【課題】特性が異なる2つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。【解決手段】炭素系非晶質薄膜15の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン32を注入することにより、薄膜15に、金属元素を含む第1領域と金属元素を含まない第2領域とを形成する工程と、少なくとも第1領域にエネルギーを供給することにより、第2領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が2nm以下となる程度に抑制しながら、第1領域に粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はFe,Co,Ni,Al,Cu,Auである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭素系非晶質薄膜の表面から前記薄膜の一部に金属元素のイオンを注入することにより、前記薄膜に、前記金属元素を含む第1領域と前記金属元素を含まない第2領域とを形成する工程と、 少なくとも前記第1領域にエネルギーを供給することにより、前記第2領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が2nm以下となる程度に抑制しながら、前記第1領域に粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を含む炭素系薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/58

FI (3)：

C01B31/02 101Z ,  C23C14/06 F ,  C23C14/58 A

F-Term (29)：

4G146AA02 ,  4G146AA16 ,  4G146AB07 ,  4G146AB10 ,  4G146AC02A ,  4G146AC16B ,  4G146AD03 ,  4G146AD16 ,  4G146AD17 ,  4G146BA01 ,  4G146BA42 ,  4G146BB02 ,  4G146BB10 ,  4G146BC04 ,  4G146BC10 ,  4G146BC15 ,  4G146BC33A ,  4G146CA02 ,  4G146CB15 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BB10 ,  4K029CA05 ,  4K029CA10 ,  4K029DC02 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA08