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J-GLOBAL ID:201003092715415966

ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009041669
Publication number (International publication number):2010197181
Application date: Feb. 25, 2009
Publication date: Sep. 09, 2010
Summary:
【課題】極性分子を検出するガスセンサの簡易な製造方法を提供する。【解決手段】ガスセンサ100は、透光性の誘電体から成る基板10の表面に、金属膜20を形成し、その上に正電荷を帯びた高分子A及び負電荷を帯びた高分子Bを交互に積層した感応膜30を形成している。適当な筐体40で感応膜30を覆い、気体導入部41から検査対象気体を導入すると、極性分子は感応膜30に吸着される。基板10の裏面に設けたプリズム50を介して、所定の波長の光を基板10裏面から入射角θで導入し、金属膜20で反射させ表面プラズモン共鳴の変化を測定して感応膜30に吸着された特定のガス分子の定量又は当該ガス分子の特定(同定)を行う。気体導入部41には検査対象気体の他、感応膜30の初期化のために例えば乾燥空気を導入可能としておくとガス分子の感応膜30からの離脱状態を測定できる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
表面プラズモン共鳴を利用したガスセンサにおいて、 透光性の誘電体から成る基板と、 前記基板の表面に形成された金属膜と、 前記金属膜の上に形成された誘電体多層膜から成り、検査対象となる気体に曝される感応膜とを有し、 前記感応膜は、高分子膜の積層構造から成ることを特徴とするガスセンサ。
IPC (1):
G01N 21/27
FI (1):
G01N21/27 C
F-Term (10):
2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC12 ,  2G059CC15 ,  2G059DD12 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059FF04 ,  2G059JJ12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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