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J-GLOBAL ID：201003092894532295

半導体受光素子

Inventor：
石村 栄太郎

About 石村 栄太郎


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009269561
Publication number (International publication number)：2010045417
Application date： Nov. 27, 2009
Publication date： Feb. 25, 2010
Summary：
【課題】波長フィルタを必要とせずに高い選択比を得ることのできる半導体受光素子を提供する。また、短波長の光を選択的に受光可能な半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子は、下層から第1導電型の半導体層、第1の吸収層および窓層の順で形成された積層構造を含み、窓層の側から光が入射する。窓層は第2導電型の不純物領域を有し、第1の吸収層から見て窓層の側には、第1の吸収層よりもバンドギャップの大きい第2の吸収層が設けられている。窓層の上に、第1の吸収層のバンドギャップ波長より長波長の光を反射する多層反射層と、第2の吸収層とがこの順に積層された構造とすることができる。また、第1の吸収層から見て第1導電型の半導体層の側には、第1の吸収層よりもバンドギャップの小さい第3の吸収層が設けられている。第1導電型の半導体層と第1の吸収層との間に第3の吸収層を設けることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
下層から第1導電型の第1の半導体層、第1の吸収層、および前記第1の吸収層よりバンドギャップの大きい第2の半導体層の順で形成された積層構造を含み、前記第2の半導体層の側から光が入射する半導体受光素子であって、 前記第2の半導体層は第2導電型の不純物領域を有し、 前記第2の半導体層の上には、前記第1の吸収層よりもバンドギャップが大きくて前記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さい第2の吸収層が設けられていて、 前記第1の半導体層と前記第1の吸収層との間に、前記第1の吸収層よりもバンドギャップの小さい第3の吸収層を有することを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1)：
H01L 31/107
FI (1)：
H01L31/10 B
F-Term (12)：
5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049QA06 ,  5F049QA13 ,  5F049QA19 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F049SZ08 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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