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J-GLOBAL ID：201003095891372253

半導体装置の製造方法

Inventor：
大塚 啓介

About 大塚 啓介


Applicant, Patent owner：
エルピーダメモリ株式会社

About エルピーダメモリ株式会社


Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008265238
Publication number (International publication number)：2010097992
Application date： Oct. 14, 2008
Publication date： Apr. 30, 2010
Summary：
【課題】層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。【解決手段】導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜に選択的に凹部を開口する工程と、 前記凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて導電膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上面の導電膜を、前記凹部の底部及び側壁部に存在する導電膜の部分を残したままで、ドライエッチングにより選択的に除去する工程を有し、 前記ドライエッチングは、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるように行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/768
FI (6)：
H01L21/302 104C ,  H01L27/04 C ,  H01L21/88 S ,  H01L27/10 621C ,  H01L21/90 C ,  H01L27/04 H
F-Term (51)：
5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA37 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F004EB05 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033NN33 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033VV00 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038BH09 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-050282   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-250056   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-080589   Applicant：ソニー株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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