Rchr
J-GLOBAL ID：201101009143824920   Update date: Oct. 27, 2021

Akinaga Hiroyuki

Akinaga Hiroyuki
Affiliation and department：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

About National Institute of Advanced Industrial Science and Technology


Homepage URL  (1)： http://www.researcherid.com/rid/L-8623-2016
Research field  (5)： Applied materials ,  Material fabrication and microstructure control ,  Nanomaterials ,  Electric/electronic material engineering ,  Electric/electronic material engineering
Research keywords  (28)： AIdevice ,  Resistive Random Access Memory (ReRAM) ,  ハーフメタ ,  スピン起動相互作用 ,  スピン流 ,  スピンMOSFET ,  スピン注入 ,  電子デバイス ,  ハーフメタル ,  スピン依存伝導 ,  スピン蓄積 ,  スピンFET ,  スピントロニクス ,  トンネル磁気抵抗効果 ,  スピン軌道相互作用 ,  ヘテロ構造 ,  MRAM ,  スピンエレクトロニクス ,  非線形磁気伝導 ,  ハイブリッド構造 ,  磁性 ,  金属 ,  半導体 ,  半導体物性 ,  ナノ材料 ,  磁気抵抗スイッチ効果 ,  磁気抵抗効果 ,  MBE,エピタキシャル
Papers (215)：
  • Hiroshi Sato, Hisashi Shima, Yusei Honma, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh, Dan Sato, Kentaro Kinoshita. Control of the data-retention characteristics of ionic-liquid conducting-bridge memory by designing device structures based on corrosion mechanisms. Applied Physics Express. 2021. 14. 8. 084005-084005
  • Hiroshi Sato, Hisashi Shima, Yusei Honma, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh, Kentaro Kinoshita. Liquid-Solid Hybrid Memory Device Achieved by Unique Features of Ionic Liquids. IEEE Access. 2021. 9. 71013-71021
  • Azusa N. Hattori, Ai I. Osaka, Ken Hattori, Yasuhisa Naitoh, Hisashi Shima, Hiroyuki Akinaga, Hidekazu Tanaka. Investigation of Statistical Metal-Insulator Transition Properties of Electronic Domains in Spatially Confined VO2 Nanostructure. Crystals. 2020. 10. 8. 631-631
  • Yasuhisa Naitoh, Yosuke Tani, Emiko Koyama, Tohru Nakamura, Touru Sumiya, Takuji Ogawa, Guento Misawa, Hisashi Shima, Kota Sugawara, Hiroshi Suga, et al. Single-Molecular Bridging in Static Metal Nanogap Electrodes Using Migrations of Metal Atoms. The Journal of Physical Chemistry C. 2020. 124. 25. 14007-14015
  • M. Oshima, M. Shuzo, K. Ono, H. Fujioka, Y. Watanabe, S. Miyanishi, H. Akinaga. Initial stage of Schottky barrier formation of ferromagnetic MnSb(0001) films on GaAs(111)B. Applied Surface Science. 2020. 130-132. 892-898
ｍore...
MISC (143)：
ｍore...
Patents (36)：
ｍore...
Professional career (1)：
  • 工学
Work history (11)：
  • 2020 - 現在 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Device Technology Research Institute Principal Research Manager
  • 2014 - 2019 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 総括研究主幹
  • 2011 - 2014 (独)産業技術総合研究所ナノデバイスセンター センター長
  • 2008 - 2011 (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター 副研究センター長
  • 2007 - 2008 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Show all
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM