Art

J-GLOBAL ID：201102171252996841   Reference number：11A0363950

Self-consistent calculation of two-dimensional electronic states in SOI-MOSFETs using full-band modeling

全帯域モデルを用いたSOI-MOSFETにおける二次元電子状態のセルフコンシステント計算

Author (3)： TAKEDA H ,  MORI N ,  HAMAGUCHI C
Material： PHYSICA B
Volume： 314  Issue： 1-4  Page： 377-380  Publication year： 2002 
JST Material Number： O5335A  ISSN： 0921-4526  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： 全帯域 ,  モデル ,  SOI ,  MOSFET ,  電子状態 ,  計算